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发布日期：2024-08-14 13:14 点击次数：94
8月13日音书，据韩国媒体ETNews报导，三星已说明在韩国平泽P4工场修复1c纳米制程DRAM內存产线投资磋议，指标是2025年6月量产。
辉煌证券三星平泽P4是详细性半导体坐褥中心，分为四期磋议。三星早期磋议，一期坐褥NAND Flash闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM內存。三星已在P4一期导入DRAM开辟，杠杆股票配资却通知放置二期修复。
1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，各大內存1c纳米居品均未发布。三星磋议2024年底运行1c纳米坐褥，推敲2025下半年推出HBM4采1c纳米DRAM裸片，或以更先进DRAM制程栽种HBM4竞争力，追上敌手SK海力士。
推敲到HBM对DRAM晶圆的破费量远高于传统內存，故三星平泽P4修复1c纳米DRAM产线，阛阓揣测可能亦然为了HBM4预作念准备。
剪辑：芯智讯-林子