三期及四期为DRAM內存
2024-08-148月13日音书，据韩国媒体ETNews报导，三星已说明在韩国平泽P4工场修复1c纳米制程DRAM內存产线投资磋议，指标是2025年6月量产。 辉煌证券 三星平泽P4是详细性半导体坐褥中心，分为四期磋议。三星早期磋议，一期坐褥NAND Flash闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM內存。三星已在P4一期导入DRAM开辟，却通知放置二期修复。 1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，各大內存1c纳米居品均未发布。三星磋议2024年底运行1c纳米坐褥，推敲2025下半年推出HBM4